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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IXFK30N100Q2

IXFK30N100Q2

廠家：: Ixys
封裝：: TO-264AA（IXFK）
數(shù)量：: 1476
說明：: MOSFET 30 Amps 1000V 0.35 Rds

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IXFK30N100Q2 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：60 ns
工廠包裝數(shù)量：25
上升時(shí)間：14 ns
功率耗散：735 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：10 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-264AA
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.4 Ohms
漏極連續(xù)電流：30 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：1000 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFK30N100Q2的詳細(xì)信息，包括IXFK30N100Q2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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