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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IXFI7N80P

IXFI7N80P

廠家：: Ixys
封裝：: TO-262（I2PAK）
數(shù)量：: 1368
說明：: MOSFET 7 Amps 800V 1.44 Rds

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IXFI7N80P PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：55 ns
工廠包裝數(shù)量：50
上升時(shí)間：32 ns
功率耗散：200 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：24 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-263
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：1.4 Ohms
漏極連續(xù)電流：7 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：800 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFI7N80P的詳細(xì)信息，包括IXFI7N80P廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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