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IXDN55N120D1

廠家:
  Ixys
封裝:
 SOT-227B
數(shù)量:
 5193  
說(shuō)明:
 IGBT 晶體管 55 Amps 1200V
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IXDN55N120D1-SOT-227B圖片

IXDN55N120D1 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:10
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最小工作溫度:- 40 C
集電極最大連續(xù)電流 Ic:100 A
包裝形式:Tube
封裝形式:SOT-227B-4
最大工作溫度:+ 150 C
柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V
集電極—射極飽和電壓:2.3 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V
配置:Single Dual Emitter
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是IXDN55N120D1的詳細(xì)信息,包括IXDN55N120D1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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