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IXDN604SI

廠家:
  Clare
封裝:
 8-SOIC-EP
數(shù)量:
 5676  
說(shuō)明:
  功率驅(qū)動(dòng)器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV
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IXDN604SI-8-SOIC-EP圖片

IXDN604SI PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

輸出電流:4 A
激勵(lì)器數(shù)量:2
最小工作溫度:- 40 C
包裝形式:Tube
封裝形式:SOIC-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 125 C
電源電流:10 uA
電源電壓-最。4.5 V
電源電壓-最大:35 V
下降時(shí)間:8 ns
上升時(shí)間:9 ns
類(lèi)型:Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers
產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers
RoHS:是
制造商:Clare

以上是IXDN604SI的詳細(xì)信息,包括IXDN604SI廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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