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ISL9N302AS3

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 I2PAK(TO-262)
數(shù)量:
 7371  
說(shuō)明:
 MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
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ISL9N302AS3-I2PAK(TO-262)圖片

ISL9N302AS3 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:50
功率耗散:345 W
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-263AB
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.0019 Ohms
漏極連續(xù)電流:75 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是ISL9N302AS3的詳細(xì)信息,包括ISL9N302AS3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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