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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IRLZ34S

IRLZ34S

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: D2PAK（TO-263）
數(shù)量：: 4329
說明：: MOSFET N-Chan 60V 30 Amp

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IRLZ34S PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：30 ns
工廠包裝數(shù)量：1000
上升時(shí)間：170 ns
功率耗散：3.7 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：56 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：D2PAK
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.05 Ohms
漏極連續(xù)電流：30 A
閘/源擊穿電壓：+/- 10 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是IRLZ34S的詳細(xì)信息，包括IRLZ34S廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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