中文參數(shù)如下:
:-
功率耗散(最大值):110W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1700 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±16V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):48 nC @ 5 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):27 毫歐 @ 25A,10V
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):42A(Tc)
漏源電壓(Vdss):55 V
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
FET 類(lèi)型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):Digi-Key 停止提供
包裝:HEXFET?
系列:卷帶(TR)
品牌:Infineon Technologies
以上是IRLR2905TRRPBF的詳細(xì)信息,包括IRLR2905TRRPBF廠(chǎng)家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!