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首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IRL640L

IRL640L

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-262-3
數(shù)量：: 8100
說(shuō)明：: MOSFET N-CH 200V 17A TO-262

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IRL640L PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C180 毫歐 @ 10A, 5V
漏極至源極電壓(Vdss)200V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs66nC @ 5V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C17A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 1800pF @ 25V
功率 - 最大3.1W
安裝類型通孔

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