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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IRL620STRL

IRL620STRL

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: D2PAK（TO-263）
數(shù)量：: 8010
說明：: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK

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IRL620STRL PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C800 毫歐 @ 3.1A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)200V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs16nC @ 5V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C5.2A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 360pF @ 25V
功率 - 最大3.1W
安裝類型表面貼裝

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