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IRG8CH37K10F

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: -
數(shù)量：: 1359
說(shuō)明：: IGBT 1200V 100A DIE

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IRG8CH37K10F PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：-
安裝類型：-
工作溫度：-
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：-
測(cè)試條件：600V，35A，5 歐姆，15V
25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：35ns/190ns
柵極電荷：210 nC
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
開(kāi)關(guān)能量：-
功率 - 最大值：-
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，35A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：-
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V
IGBT 類型：-
產(chǎn)品狀態(tài)：Digi-Key 停止提供
包裝：-
系列：散裝
品牌：Infineon Technologies

以上是IRG8CH37K10F的詳細(xì)信息，包括IRG8CH37K10F廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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