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IRFSL11N50APBF

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-262-3
數(shù)量:
 7353  
說明:
 MOSFET N-Chan 500V 11 Amp
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IRFSL11N50APBF-TO-262-3圖片

IRFSL11N50APBF PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關閉延遲時間:32 ns
工廠包裝數(shù)量:1000
上升時間:34 ns
功率耗散:190 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:27 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-262
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.55 Ohms
漏極連續(xù)電流:11 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:500 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是IRFSL11N50APBF的詳細信息,包括IRFSL11N50APBF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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