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IRFR1N60ATRR

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: D-Pak
數(shù)量：: 2790
說明：: MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK

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IRFR1N60ATRR PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：7 歐姆 @ 840mA, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：1.4A
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：14nC @ 10V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：229pF @ 25V
功率 - 最大：36W
安裝類型：表面貼裝

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