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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IRFR11N25D

IRFR11N25D

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: D-Pak
數(shù)量：: 8811
說明：: MOSFET N-CH 250V DPAK

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IRFR11N25D PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C-
漏極至源極電壓(Vdss)250V
Id 時的 Vgs(th)（最大）-
閘電荷(Qg) @ Vgs-
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C-
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) -
功率 - 最大-
安裝類型表面貼裝

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