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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IRFI9Z34G

IRFI9Z34G

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-220-3
數(shù)量：: 6885
說明：: MOSFET P-Chan 60V 12 Amp

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IRFI9Z34G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：20 ns
工廠包裝數(shù)量：1000
上升時(shí)間：120 ns
功率耗散：42 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：58 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220 Full-Pak
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.14 Ohms
漏極連續(xù)電流：12 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 60 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是IRFI9Z34G的詳細(xì)信息，包括IRFI9Z34G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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