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IRFD214PBF

廠家：: Vishay Semiconductors
封裝：: 4-DIP（0.300"，7.62mm）
數(shù)量：: 6273
說明：: MOSFET N-Chan 250V 0.45 Amp

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IRFD214PBF PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：16 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
功率耗散：1 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：0.9 S
包裝形式：Tube
封裝形式：HexDip-4
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：2 Ohms
漏極連續(xù)電流：0.45 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：250 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是IRFD214PBF的詳細(xì)信息，包括IRFD214PBF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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