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IRFB3256PBF

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 TO-220AB
數(shù)量：
 747  
說明：
 MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
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IRFB3256PBF PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：300W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：6600 pF @ 48 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：195 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 150μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：3.4 毫歐 @ 75A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：75A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：60 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：最后售賣
包裝：HEXFET?
系列：管件
品牌：Infineon Technologies

以上是IRFB3256PBF的詳細信息，包括IRFB3256PBF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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