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IRF9Z34STRL

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 D2PAK(TO-263)
數(shù)量:
 4383  
說明:
 MOSFET P-Chan 60V 18 Amp
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IRF9Z34STRL-D2PAK(TO-263)圖片

IRF9Z34STRL PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:20 ns
工廠包裝數(shù)量:800
上升時間:120 ns
功率耗散:3.7 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:58 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:D2PAK
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.14 Ohms
漏極連續(xù)電流:18 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:- 60 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:否
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是IRF9Z34STRL的詳細(xì)信息,包括IRF9Z34STRL廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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