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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IRF7389

IRF7389

廠家：: International Rectifier
封裝：: 8-SO
數(shù)量：: 6975
說明：: MOSFET N+P 30V 5.3A 8-SOIC

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IRF7389 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型N 和 P 溝道
FET 特點(diǎn)邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C29 毫歐 @ 5.8A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs33nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C7.3A, 5.3A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 650pF @ 25V
功率 - 最大2.5W
安裝類型表面貼裝

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