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IRF6636TR1

廠家:
  International Rectifier
封裝:
 DirectFET? 等容 ST
數(shù)量:
 2781  
說明:
 MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET (ST)
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IRF6636TR1-DirectFET? 等容 ST圖片

IRF6636TR1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:16 ns
工廠包裝數(shù)量:1000
上升時間:19 ns
功率耗散:2.2 W
最小工作溫度:- 40 C
下降時間:6.2 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:Direct-FET ST
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Dual Source
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):3.2 m Ohms
漏極連續(xù)電流:18 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
制造商:International Rectifier

以上是IRF6636TR1的詳細信息,包括IRF6636TR1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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