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IRF6643TR1PBF

廠家：: International Rectifier
封裝：: DirectFET? 等容 MZ
數量：: 3042
說明：: MOSFET MOSFT 150V 35A 35mOhm 39nC Qg

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IRF6643TR1PBF PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：1000
上升時間：5 ns
功率耗散：89 W
柵極電荷 Qg：39 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：16 S
下降時間：4.4 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：Direct-FET MZ
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：29 mOhms
漏極連續(xù)電流：6.2 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：150 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是IRF6643TR1PBF的詳細信息，包括IRF6643TR1PBF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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