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IRF640STRLPBF

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
數(shù)量:
 4247  
說明:
 MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
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IRF640STRLPBF-TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB圖片

IRF640STRLPBF PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:45 ns
工廠包裝數(shù)量:800
上升時間:51 ns
功率耗散:3.1 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:36 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:D2PAK
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.18 Ohms
漏極連續(xù)電流:18 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:200 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是IRF640STRLPBF的詳細(xì)信息,包括IRF640STRLPBF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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