點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點標準型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C9 毫歐 @ 60A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)40V
Id 時的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs93nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C100A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 2900pF @ 25V
功率 - 最大2.4W
安裝類型表面貼裝

以上是IRF1104STRR的詳細信息，包括IRF1104STRR廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管   兩極晶體管 - BJT    JFET   IGBT 晶體管   開關晶體管 - 偏壓電阻器  

MOSFET最新產品：

R6006ANDTL

IRF9640PBF-BE3

IPB240N03S4LR9ATMA1

IPD040N08NF2SATMA1

FDMC86260ET150

SIHA6N65E-E3

CSD18531Q5AT

IPB043N10NF2SATMA1

MCB200N06Y-TP

STH150N10F7-2