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IPU06N03LB G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO251-3
數(shù)量：: 5958
說明：: MOSFET N-CH 30V 50A IPAK

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IPU06N03LB G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C6.3 毫歐 @ 50A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
Id 時的 Vgs(th)（最大）2V @ 40µA
閘電荷(Qg) @ Vgs22nC @ 5V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C50A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 2800pF @ 15V
功率 - 最大83W
安裝類型通孔

以上是IPU06N03LB G的詳細信息，包括IPU06N03LB G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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