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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IPS06N03LZ G

IPS06N03LZ G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO251-3-11
數(shù)量：: 4833
說明：: MOSFET N-CH 25V 50A IPAK

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IPS06N03LZ G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C5.9 毫歐 @ 30A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)25V
Id 時的 Vgs(th)（最大）-
閘電荷(Qg) @ Vgs22nC @ 5V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C50A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 2653pF @ 15V
功率 - 最大83W
安裝類型通孔

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