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IPN60R360PFD7SATMA1

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-SOT223-3-1
數量:
 7803  
說明:
 MOSFET N-CH 650V 10A SOT223
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IPN60R360PFD7SATMA1-PG-SOT223-3-1圖片

IPN60R360PFD7SATMA1 PDF參數資料

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中文參數如下:
:-40°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):7W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):534 pF @ 400 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):12.7 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 140μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):360 毫歐 @ 2.9A,10V
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):10A(Tc)
漏源電壓(Vdss):650 V
技術:MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產品狀態(tài):在售
包裝:CoolMOS?PFD7
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Infineon Technologies

以上是IPN60R360PFD7SATMA1的詳細信息,包括IPN60R360PFD7SATMA1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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