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IPI80N04S306

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-262
數量：: 2016
說明：: MOSFET

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IPI80N04S306 PDF參數資料

中文參數如下：

典型關閉延遲時間：20 ns
工廠包裝數量：500
上升時間：10 ns
功率耗散：100 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：10 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-262
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：6.1 m Ohms
漏極連續(xù)電流：80 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
制造商：Infineon

以上是IPI80N04S306的詳細信息，包括IPI80N04S306廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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