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首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IPI77N06S3-09

IPI77N06S3-09

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO262-3
數(shù)量：: 378
說(shuō)明：: MOSFET N-CH 55V 77A

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IPI77N06S3-09 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：IPI77N06S309XK
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：29 ns
上升時(shí)間：51 ns
功率耗散：107 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：51 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-262
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：9.1 m Ohms
漏極連續(xù)電流：77 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：55 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPI77N06S3-09的詳細(xì)信息，包括IPI77N06S3-09廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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