日韩精品在线免费播放-午夜激情网址-日韩黄色一区-91网站免费在线观看-www黄色com-福利网站在线观看-欧美一区二区三区大片-久久久久久久久久久久久久国产-成人理论片-2020亚洲天堂-黄色成人91-毛片视频免费观看-一区二区黄色片-91亚洲精品在线-国产免费看av-黄色一级淫片-国产一级理论片

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > IPI200N25N3 G

IPI200N25N3 G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-262-3
數(shù)量：: 9034
說明：: MOSFET N-Channel 250V MOSFET

一、本商品被瀏覽0次.

IPI200N25N3 G PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號別名：IPI200N25N3GAKSA1 IPI200N25N3GXK SP000714308
典型關閉延遲時間：45 nS
上升時間：20 nS
功率耗散：300 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：64 nC
下降時間：12 nS
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-262-3
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：20 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流：64 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：250 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPI200N25N3 G的詳細信息，包括IPI200N25N3 G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：