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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IPI086N10N3 G

IPI086N10N3 G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-262
數(shù)量：: 4964
說明：: MOSFET N-KANAL POWER MOS

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IPI086N10N3 G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：IPI086N10N3GXK IPI086N10N3GXKSA1 SP000683070
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：31 ns
工廠包裝數(shù)量：500
功率耗散：125000 mW
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-262
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：8.6 mOhms
漏極連續(xù)電流：80 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPI086N10N3 G的詳細(xì)信息，包括IPI086N10N3 G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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