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IPG20N06S2L-65

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TDSON-8
數(shù)量：: 9783
說明：: MOSFET Dual N-Ch 55V MOSFET

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IPG20N06S2L-65 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：IPG20N06S2L65ATMA1 IPG20N06S2L65XT SP000613722
典型關(guān)閉延遲時間：10 nS
上升時間：3 nS
功率耗散：43 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：9.4 nC
下降時間：7 nS
包裝形式：Reel
封裝形式：TDSON-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：65 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流：20 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：55 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPG20N06S2L-65的詳細信息，包括IPG20N06S2L-65廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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