日韩精品在线免费播放-午夜激情网址-日韩黄色一区-91网站免费在线观看-www黄色com-福利网站在线观看-欧美一区二区三区大片-久久久久久久久久久久久久国产-成人理论片-2020亚洲天堂-黄色成人91-毛片视频免费观看-一区二区黄色片-91亚洲精品在线-国产免费看av-黄色一级淫片-国产一级理论片

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > IPD50R399CPATMA1

IPD50R399CPATMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO252-3-313
數量：: 6291
說明：: LOW POWER_LEGACY

一、本商品被瀏覽0次.

IPD50R399CPATMA1 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：83W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：890 pF @ 100 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：23 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 330μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：399 毫歐 @ 4.9A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：9A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：500 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態(tài)：不適用于新設計
包裝：CoolMOS?
系列：卷帶（TR）
品牌：Infineon Technologies

以上是IPD50R399CPATMA1的詳細信息，包括IPD50R399CPATMA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：