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IPD16CNE8N G

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 PG-TO252-3
數(shù)量：
 3294  
說明：
 MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 53A
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IPD16CNE8N G-PG-TO252-3圖片

IPD16CNE8N G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：IPD16CNE8NGXT
典型關(guān)閉延遲時間：27 ns
上升時間：14 ns
功率耗散：100 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：7 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.016 Ohms
漏極連續(xù)電流：53 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：85 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPD16CNE8N G的詳細信息，包括IPD16CNE8N G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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