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首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IPD09N03LA G

IPD09N03LA G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO252-3-11
數(shù)量：: 3114
說(shuō)明：: MOSFET N-CH 25V 50A

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IPD09N03LA G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：20 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時(shí)間：5.6 ns
功率耗散：63 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：46 S / 23 S
下降時(shí)間：3.4 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：14.8 m Ohms
漏極連續(xù)電流：50 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：25 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPD09N03LA G的詳細(xì)信息，包括IPD09N03LA G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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