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IPD03N03LB G

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
數(shù)量：
 2916  
說(shuō)明：
 MOSFET N-CH 30V 90A
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IPD03N03LB G-TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63圖片

IPD03N03LB G PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：41 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時(shí)間：9 ns
功率耗散：115 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ：120 S / 60 S
下降時(shí)間：6.2 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：4.9 m Ohms
漏極連續(xù)電流：90 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPD03N03LB G的詳細(xì)信息，包括IPD03N03LB G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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