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首頁(yè) > 電子元件分類(lèi) > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IPD031N03M G

IPD031N03M G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO252-3-11
數(shù)量：: 2844
說(shuō)明：: MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 30V 90A

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IPD031N03M G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：IPD031N03MGXT
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：34 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
功率耗散：94000 mW
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：3.1 mOhms
漏極連續(xù)電流：90 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPD031N03M G的詳細(xì)信息，包括IPD031N03M G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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