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IPB049NE7N3 G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-263-3
數(shù)量：: 8184
說明：: MOSFET N-Channel 75V MOSFET

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IPB049NE7N3 G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：IPB049NE7N3GATMA1 IPB049NE7N3GXT SP000641752
典型關(guān)閉延遲時間：30 nS
上升時間：11 nS
功率耗散：150 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：51 nC
下降時間：8 nS
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263-3
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：4.9 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流：80 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：75 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPB049NE7N3 G的詳細信息，包括IPB049NE7N3 G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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