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IPB014N06N

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-263-7
數(shù)量：: 3834
說明：: MOSFET 60V TO-263

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IPB014N06N PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：47 ns
上升時(shí)間：18 ns
功率耗散：214 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：106 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：230 S / 120 S
下降時(shí)間：14 ns
封裝形式：TO-263-7
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：1.4 mOhms
漏極連續(xù)電流：180 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
制造商：Infineon

以上是IPB014N06N的詳細(xì)信息，包括IPB014N06N廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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