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HUF75631SK8

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 SOIC-8 Narrow
數(shù)量:
 8163  
說(shuō)明:
 MOSFET USE 512-FDS3682
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HUF75631SK8-SOIC-8 Narrow圖片

HUF75631SK8 PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:39 ns
工廠包裝數(shù)量:98
上升時(shí)間:23 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:31 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.039 Ohms
漏極連續(xù)電流:5.5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是HUF75631SK8的詳細(xì)信息,包括HUF75631SK8廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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