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HGTP12N60C3D

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-220-3
數(shù)量:
 1674  
說明:
 IGBT 晶體管 HGTP12N60C3D
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HGTP12N60C3D-TO-220-3圖片

HGTP12N60C3D PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:HGTP12N60C3D_NL
工廠包裝數(shù)量:400
安裝風格:Through Hole
最小工作溫度:- 40 C
集電極最大連續(xù)電流 Ic:24 A
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220-3
最大工作溫度:+ 150 C
功率耗散:104 W
柵極—射極漏泄電流:+/- 100 nA
在25 C的連續(xù)集電極電流:24 A
柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V
集電極—射極飽和電壓:1.65 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V
配置:Single
RoHS:是
產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是HGTP12N60C3D的詳細信息,包括HGTP12N60C3D廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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