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GT013N04TI

廠家：: Goford Semiconductor
封裝：: TO-220
數(shù)量：: 1112
說明：: N40V, 220A,RD<2.5M@10V,VTH2.0V~5

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GT013N04TI PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：90W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：3986 pF @ 20 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：50 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：2.5 毫歐 @ 30A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：220A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：40 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：Goford Semiconductor

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