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GA50JT06-258

廠家：: GeneSiC Semiconductor
封裝：: TO-258
數(shù)量：: 1584
說明：: TRANS SJT 600V 100A TO258

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GA50JT06-258 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 225°C（TJ）
功率耗散（最大值）：769W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：-
Vgs（最大值）：-
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：25 毫歐 @ 50A
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：100A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：600 V
技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）
FET 類型：-
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：散裝
品牌：GeneSiC Semiconductor

以上是GA50JT06-258的詳細(xì)信息，包括GA50JT06-258廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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