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G110N06T

廠家：: Goford Semiconductor
封裝：: TO-220
數(shù)量：: 1095
說明：: N60V,RD(MAX)<6.4M@10V,RD(MAX)<8.

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G110N06T PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：120W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：5538 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：113 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：6.4 毫歐 @ 20A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：110A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：60 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：Goford Semiconductor

以上是G110N06T的詳細信息，包括G110N06T廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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