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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > FQU1N60TU

FQU1N60TU

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: IPAK
數(shù)量：: 3861
說明：: MOSFET

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FQU1N60TU PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：FQU1N60TU_NL
典型關(guān)閉延遲時間：7 ns
工廠包裝數(shù)量：70
上升時間：25 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：0.83 S
下降時間：25 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：IPAK
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：11.5 Ohms
漏極連續(xù)電流：1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQU1N60TU的詳細(xì)信息，包括FQU1N60TU廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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