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FQPF58N08T

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-220F
數(shù)量:
 3213  
說明:
 MOSFET NCh/80V/35a/0.024Ohm
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FQPF58N08T-TO-220F圖片

FQPF58N08T PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:70 ns
工廠包裝數(shù)量:50
上升時間:200 ns
功率耗散:55 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :29 S
下降時間:95 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220F
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.024 Ohms
漏極連續(xù)電流:35 A
閘/源擊穿電壓:+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓:80 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FQPF58N08T的詳細信息,包括FQPF58N08T廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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