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中文參數(shù)如下:
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封裝封裝/外殼:ISOPLUSi5-Pak?
安裝類型:通孔
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
功率 - 最大值:170W
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):10500pF @ 25V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):178nC @ 10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):5.8 毫歐 @ 100A,10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):120A
漏源電壓(Vdss):75V
FET 功能:-
配置:2 N 溝道(雙)非對(duì)稱型
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:HiPerFET?, TrenchT2?
系列:管件
品牌:IXYS
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