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FMB857B_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SSOT-6
數(shù)量：: 288
說明：: 兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Transistor

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FMB857B_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：700 mW
集電極連續(xù)電流：0.1 A
封裝形式：SSOT-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：220 at 2 mA at 5 V
最大直流電集電極電流：0.5 A
集電極—射極飽和電壓：45 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：45 V
集電極—基極電壓 VCBO：- 50 V
晶體管極性：PNP
配置：Dual
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FMB857B_Q的詳細信息，包括FMB857B_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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