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FJN965TA_Q

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-92
數(shù)量:
 8487  
說明:
 兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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FJN965TA_Q-TO-92圖片

FJN965TA_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

包裝形式:Ammo
最小工作溫度:- 55 C
最大功率耗散:0.75 W
直流電流增益 hFE 最大值:600
集電極連續(xù)電流:5 A
封裝形式:TO-92
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:230
增益帶寬產(chǎn)品fT:150 MHz
最大直流電集電極電流:5 A
集電極—射極飽和電壓:20 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:7 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:20 V
集電極—基極電壓 VCBO:40 V
晶體管極性:NPN
配置:Single
RoHS:否
產(chǎn)品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FJN965TA_Q的詳細信息,包括FJN965TA_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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