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FF650R17IE4BOSA1

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 模塊
數(shù)量：
 7606  
說(shuō)明：
 IGBT MODULE 1700V 4150W
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FF650R17IE4BOSA1-模塊圖片

FF650R17IE4BOSA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝封裝/外殼：模塊
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-40°C ~ 150°C
NTC 熱敏電阻：是
輸入：標(biāo)準(zhǔn)
不同?Vce 時(shí)輸入電容 (Cies)：54 nF @ 25 V
電流 - 集電極截止（最大值）：5 mA
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.45V @ 15V，650A
功率 - 最大值：4150 W
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1700 V
配置：2 個(gè)獨(dú)立式
IGBT 類型：-
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：PrimePACK?2
系列：托盤(pán)
品牌：Infineon Technologies

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