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FF800R12KL4C

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: IHM
數(shù)量：: 3375
說明：: IGBT 模塊 1200V 800A DUAL

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FF800R12KL4C PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：8
安裝風格：Screw
最小工作溫度：- 40 C
柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V
封裝形式：IHM
最大工作溫度：+ 125 C
功率耗散：5 KW
柵極—射極漏泄電流：600 nA
在25 C的連續(xù)集電極電流：1250 A
集電極—射極飽和電壓：2.1 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V
配置：Dual
產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules
RoHS：否
產(chǎn)品種類：IGBT 模塊
制造商：Infineon

以上是FF800R12KL4C的詳細信息，包括FF800R12KL4C廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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