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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > FDZ2551N

FDZ2551N

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: BGA
數(shù)量：: 8217
說明：: MOSFET USE 512-FDZ2553N Common Drain

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FDZ2551N PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：26 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：11 ns
功率耗散：2.1 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：8 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：BGA
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Common Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.018 Ohms
漏極連續(xù)電流：9 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDZ2551N的詳細(xì)信息，包括FDZ2551N廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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